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cmos finfet
cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區
英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關(guān)鍵
- 在上周的VLSI研討會(huì )上，英特爾詳細介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數據中心客戶(hù)代工服務(wù)的基礎。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線(xiàn)圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場(chǎng)效應晶體管 （FinFET） 結構的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結構。但它也包括英特爾首次使用一項技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長(cháng)一段時(shí)間內對其計劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對于該公司成為代工廠(chǎng)并為其他公司制造高性能芯片的計劃至關(guān)重要。它被稱(chēng)為偶極子功
- 關(guān)鍵字： 英特爾 FinFET 代工計劃
使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節點(diǎn)設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
- 關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
CMOS反相器開(kāi)關(guān)功耗的仿真
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí)，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類(lèi)功耗：動(dòng)態(tài)，當反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài)，由穩態(tài)運行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類(lèi)型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開(kāi)關(guān)功率——當輸出電壓變化時(shí)，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
- 關(guān)鍵字： CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
CMOS反相器的功耗
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個(gè)轉折點(diǎn)。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數字系統的電氣特性。CMOS的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時(shí)才需要電流——簡(jiǎn)單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來(lái)說(shuō)，低功耗是一個(gè)理想的功能，當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個(gè)小空間中時(shí)，這尤其有益。正如計算機CPU愛(ài)好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒(méi)有CMOS反相
- 關(guān)鍵字： CMOS，反相器，功耗
Teledyne e2v宣布擴展其Flash CMOS圖像傳感器系列
- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng )新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專(zhuān)為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用，其角度響應在30°角度下為四倍以上，在
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 Flash
TTL與CMOS，很基礎但很多人不知道
- 問(wèn)題引入在工作中，會(huì )遇到OC門(mén)與OD門(mén)的稱(chēng)謂。而感性的認識一般為：OD門(mén)是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。OC門(mén)是采用晶體管搭建的電路，流（電流）控元器件。而OD門(mén)的功率損耗一般是小于OC門(mén)，為什么？電平TTL電平：輸出電平：高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平：高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平：輸出電平：高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平：高電平Uih >= 0.7*VCC U
- 關(guān)鍵字： TTL電路 CMOS
CMOS傳感器+高級色彩算法，快準穩捕獲色彩
- 用機器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現在線(xiàn)檢測，大大提高了檢測效率，同時(shí)對產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測結果更為客觀(guān)、更準確。無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節都要求相機具備某些特征。那么，相機廠(chǎng)商該如何應對這些需求提出的挑戰呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合，并具備：色彩校正矩陣，用于實(shí)現在任一照明條件下的精確色彩再現；高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度；靈活多變的自定義觸發(fā)設置，準確觸發(fā)
- 關(guān)鍵字： 傳感器 色彩 CMOS
CMOS傳感器+高級色彩算法，快準穩捕獲一致色彩
- 用機器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現在線(xiàn)檢測，大大提高了檢測效率，同時(shí)對產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測結果更為客觀(guān)、更準確。問(wèn)：無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節都要求相機具備某些特征。那么，相機廠(chǎng)商該如何應對這些需求提出的挑戰呢？答：Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合，并具備：? 色彩校正矩陣，用于實(shí)現在任一照明條件下的精確色彩再現? 高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度?
- 關(guān)鍵字： CMOS 傳感器 色彩算法
Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片
- 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專(zhuān)用測試芯片通過(guò)加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類(lèi)最佳性能、及確保穩健的產(chǎn)品設計，堅定客戶(hù)對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領(lǐng)先供應商Dolphin De
- 關(guān)鍵字： Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片
CMOS 2.0 革命
- 受到威脅的不是摩爾定律本身，而是它所代表的促進(jìn)經(jīng)濟增長(cháng)、科學(xué)進(jìn)步和可持續創(chuàng )新的能力。
- 關(guān)鍵字： CMOS
晶體管進(jìn)入納米片時(shí)代
- 3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線(xiàn)圖至關(guān)重要。
- 關(guān)鍵字： FinFET
臺積電熊本新廠(chǎng)建筑工程上個(gè)月末已完成
- 1月8日消息，據報道，日本熊本放送消息，臺積電日本熊本新廠(chǎng)建筑工程在上個(gè)月末已完成，預定年內投產(chǎn)，目前處于設備移入進(jìn)機階段。另外，該廠(chǎng)開(kāi)幕式預計在2月24日舉行。公開(kāi)資料顯示，臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼，以及持股約10%的日本電裝（DENSO），熊本第一工廠(chǎng)計劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類(lèi)成熟制程的半導體，初期多數產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數字圖像處理器（ISP），其余則為電裝代工車(chē)用電子微控制器 MCU，電裝可取得約每月1萬(wàn)片產(chǎn)能。臺積
- 關(guān)鍵字： 臺積電 索尼 日本電裝 CMOS ISP MCU
CIS 產(chǎn)能誘惑再起
- 移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代，在電子半導體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段，有 3~4 類(lèi)芯片會(huì )沖在前面，呈現出明顯的增長(cháng)勢頭，存儲器是典型代表，還有一種芯片也很搶眼，那就是 CIS（CMOS 圖像傳感器），它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長(cháng)過(guò)程中就扮演了重要角色。如今，2024 年半導體業(yè)即將復蘇，CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應用領(lǐng)域：手機、安防和汽車(chē)。當然，CIS 在工業(yè)和其它消費類(lèi)電子產(chǎn)品上也有應用。近日，全球 CIS 市場(chǎng)排名第二的三星電子發(fā)出通知，將大幅調升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù)：在 60nm 柵距下實(shí)現 CFET
- IT之家 12 月 10 日消息，由于當下摩爾定律放緩，堆疊晶體管概念重獲關(guān)注，IMEC （比利時(shí)微電子研究中心）于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)（IT之家注：即垂直堆疊互補場(chǎng)效應晶體管技術(shù)，業(yè)界認為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)），英特爾和臺積電也都進(jìn)行了跟進(jìn)。在今年的 IEEE 國際電子器件會(huì )議（IEDM 2023）上，英特爾展示了多項技術(shù)突破，并強調了摩爾定律的延續和演變。首先，英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS（互補金屬氧化物半導體）晶體管方面取得的突
- 關(guān)鍵字： 英特爾 CMOS
下一代CMOS邏輯，邁入1nm時(shí)代
- 3D 亞納米時(shí)代，CMOS 邏輯電路如何發(fā)展？
- 關(guān)鍵字： CMOS
cmos finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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